
9月25-27日,第十二届半导体设备年会(CSEAC 2024)在无锡太湖国际博览中心盛大召开。
作为先导集团在半导体高端前道设备领域的关键布局、先导集成电路装备与零部件材料产业园的核心企业,天芯微携旗下Compass HP 平台12寸硅基减压、常压外延解决方案以及最新的深硅刻蚀方案亮相本次大会,受到产业链上下游广泛关注。同时,先导集团董事长王燕清也受邀出席大会,并发表主题演讲。
随着集成电路制造向更小特征线宽尺寸发展,以先进逻辑芯片和存储器件为代表的产品对制造工艺要求也不断提升,各种新的外延工艺应用场景层出不穷,对外延系统的功能提出了更高的要求。
基于Compass HP平台,天芯微在国内率先推出了完全国产自主化的12寸硅基减压外延设备Epi RP 300 Compass HP以及硅基常压外延设备Epi ATM 300 Compass HP,满足晶圆厂对先进器件制造的需求。
Epi RP 300 Compass HP是先进制程外延工艺的创新解决方案,应用于逻辑芯片、功率及存储器件制造,适用于硅、硅锗、硅磷等材料的外延生长。创新的Compass HP平台可灵活配置多个外延腔,集成至多2个预清洗腔,满足差异化的产能需求和工艺要求。
Epi ATM 300 Compass HP适用于大硅片、功率器件和MEMS等外延工艺需求,凭借天芯微自主研发的压控FRC技术及独立多区进气模组,带来了更高效的沉积速率和更可观的膜厚及均一性。该设备同样继承了天芯微Compass HP平台灵活的生产配置能力。
天芯微首款深硅刻蚀设备闪耀CSEAC
近年来,人工智能、高性能算力等快速发展,对上游器件要求不断提升,2.5D&3D等先进封装技术凭借其高集成度带来卓越的性能和互联互通,TSV(硅通孔)技术在其中起到关键作用。
针对产业发展趋势和市场不断增加的需求,天芯微自主研发了旗下首款深硅刻蚀设备V8 Etch,可实现高深宽比的TSV(硅通孔)和沟槽刻蚀,可应用于2.5D&3D封装、CMOS图像传感器(CIS)、深沟槽隔离(DTI)、深沟槽电容(DTC)、功率器件硅沟槽刻蚀、MEMS 沟槽刻蚀等领域,为产业界提供了国产化创新解决方案。
V8 Etch 应用了多种先进设计,如分区进气系统、对称腔体结构、高功率等离子源、快速气体切换系统、和准确离子能量控制等,为工艺提供了更多的可能性和可调性。
未来,天芯微将持续聚焦市场需求,强化技术创新和产品研发,积极拓展半导体制造高端设备领域,为产业发展升级注入活力,助力半导体国产装备的自主化之路。
先导集团董事长王燕清:全球AI浪潮下,半导体国产装备的自主之路
本次大会,先导集团董事长王燕清受邀发表了《全球AI浪潮下,半导体国产装备的自主之路》演讲,分享了先导在半导体装备领域的战略规划和自主之路。
王燕清董事长表示,在全球AI浪潮如火如荼发展的当下,国产半导体装备将迎来新的发展机遇。天芯微等先导集成电路装备与零部件、材料产业园的园内企业,在着力于提升国产设备质量与性能的同时,将进一步发挥本土化响应优势,提供定制化服务,缩短设备交付周期,助力国产设备实现从“能用”到“好用”的飞跃。不仅如此,先导集团在助力半导体装备实现国产化替代的自主之路上,还将把握“聚焦技术引领、人才培养、和聚焦平台”等“三个聚焦”,坚定落实“三个1”方针,为中国半导体产业的发展提供强有力的支撑。