
E-Focus是天芯微独立研发的12英寸深硅刻蚀设备,具有自主知识产权,可实现高深宽比的硅通孔和沟槽刻蚀,最多可同时挂载6个独立的反应腔,产能更大,CoO更小。
E-Focus深硅刻蚀设备广泛应用2.5D&3D封装、TSV刻蚀、CMOS图像传感器(CIS)、深沟槽隔离(DTI)、深沟槽电容(DTC)、功率器件硅沟槽刻蚀、MEMS沟槽刻蚀等领域。该设备搭配先进的工艺实时监测系统,同时配合EtherCAT通信方式,响应更快,沉积和刻蚀的切换周期更短。
E-Focus应用了多种先进设计,如分区进气系统、对称腔体结构、高功率等离子源、快速气体切换系统、和准确离子能量控制等,为工艺提供了更多的可能性和可调性。
产品特点
兼容Bosch和Non-Bosch工艺
晶圆边缘保护环
多参数Ramp功能
对称的腔体结构设计