Epi RP 300 Compass HP® 是天芯微面向 12 英寸硅基外延市场自主研发的减压外延产品，创新的 Compass HP 平台可灵活配置 1 到 4 个外延腔，集成至多 2 个预清洗腔，满足差异化的产能需求和工艺要求。

Epi RP 300 Compass HP® 可应用于先进制程逻辑器件的 PMOS 和 NMOS 的源极 (Source)、漏极 (Drain) 和沟道（channel），以及功率器件和存储区间中深槽的填充，适用于多种外延生长材料，如硅、硅锗、硅磷等。

天芯微自主设计研发的进气模块和多区加热模块，实现了温度的快速升降和温度场的精确控制，使系统具备优异的工艺重复性和设备稳定性，从而获得良好的厚度均匀性、电阻率均匀性，零滑移线和低缺陷密度的外延层生长。

投放市场后，Epi RP 300 Compass HP® 已获得多家主流 Fab 的青睐，整体性能表现媲美主流产品，并在部分核心参数上达到国际领先水平。

产品特点

• Compass八边平台设计，具备高效且灵活的生产配置能力

• 自主研发的多区温控模组实现各温区的精准控温和温度均匀分布

• 自主研发的独立多区进气系统改善薄膜均一性

• 腔体微缩化设计

• 一体集成预清洗系统

• 智能化软件控制平台，实现对单个工艺腔体实时独立控制