Epi RP 300 Compass HP® 是天芯微面向 12 英寸硅基外延市场自主研发的减压外延产品，创新的 Compass HP 平台可灵活配置 1 到 4 个外延腔，集成至多 2 个预清洗腔，满足差异化的产能需求和工艺要求。

Epi RP 300 Compass HP® 可应用于先进制程逻辑器件的 PMOS 和 NMOS 的源极 (Source)、漏极 (Drain) 和沟道（channel），以及功率器件和存储区间中深槽的填充，适用于多种外延生长材料，如硅、硅锗、硅磷等。

天芯微自主设计研发的进气模块和多区加热模块，实现了温度的快速升降和温度场的精确控制，使系统具备优异的工艺重复性和设备稳定性，从而获得良好的厚度均匀性、电阻率均匀性，零滑移线和低缺陷密度的外延层生长。

投放市场后，Epi RP 300 Compass HP® 已获得多家主流 Fab 的青睐，整体性能表现媲美主流产品，并在部分核心参数上达到国际领先水平。

产品特点

Compass八边平台设计，具备高效且灵活的生产配置能力

自主研发的多区温控模组实现各温区的精准控温和温度均匀分布

自主研发的独立多区进气系统改善薄膜均一性

腔体微缩化设计

一体集成预清洗系统

智能化软件控制平台，实现对单个工艺腔体实时独立控制

基于硅基减压外延设备 Epi RP 300 Compass HP®，天芯微研发了适用于外延片、功率器件和 MEMS 加工的硅基常压外延设备 Epi ATM 300 Compass HP®。Compass HP 平台使其可以根据需求配置 1 到 4 个常压外延腔，凭借天芯微自研的压控 FRC 技术及独立多区进气模组，本设备能够沉积更高厚度的薄膜，并具有极高的沉积速率。沉积的硅或硅锗薄膜具有极致的晶圆中心到边缘（center-to-edge）的厚度均一性。

产品特点

独立多区进气模组带来了极致的薄膜厚度均一性和电阻率分布均匀

间隙隔离式多区控温模组使晶圆边缘温度和边缘薄膜厚度得到优异控制

分布式智能软件控制平台，使每个工艺腔独立运行同时具有智能化的传片逻辑，可视化的多参数显示