E-Focus是天芯微独立研发的12英寸深硅刻蚀设备，具有自主知识产权，可实现高深宽比的硅通孔和沟槽刻蚀，最多可同时挂载6个独立的反应腔，产能更大，CoO更小。

E-Focus深硅刻蚀设备广泛应用2.5D&3D封装、TSV刻蚀、CMOS图像传感器（CIS）、深沟槽隔离（DTI）、深沟槽电容（DTC）、功率器件硅沟槽刻蚀、MEMS沟槽刻蚀等领域。该设备搭配先进的工艺实时监测系统，同时配合EtherCAT通信方式，响应更快，沉积和刻蚀的切换周期更短。

E-Focus应用了多种先进设计，如分区进气系统、对称腔体结构、高功率等离子源、快速气体切换系统、和准确离子能量控制等，为工艺提供了更多的可能性和可调性。

产品特点

兼容Bosch和Non-Bosch工艺

晶圆边缘保护环

多参数Ramp功能

对称的腔体结构设计

PRC+ Compass HP 是天芯微基于12 英寸先进工艺技术及量产规模下自主开发的预清洁设备, 可实现超高选择性刻蚀及表面预清洁能力, 最多可同时挂载6个独立的反应腔体, 同时可为前中后段进行开发满足工艺需求并做灵活搭配, 让产能最大化, CoO更低。

PRC+ Compass HP自主设计开发的进气模块、腔体温控模式、腔体材质组成等, 为工艺提供较佳的刻蚀均匀性、优异的刻蚀形貌及稳定性, 减少 Particle 产生。

PRC+ Compass HP 可应用于多元材料的高选择性刻蚀、高深宽比垂直刻蚀、图形刻蚀, 为工艺提供更多的可调性, 满足不同场景的应用。

产品特点

六边平台设计, 具备高效且灵活的生产配置能力

高效的温控系统, 提升刻蚀速率及稳定性

新喷淋头气路结构设计, 提升刻蚀均匀性

高温喷淋头控制, 降低腔体残留物并渐少腔体损伤

一体集成多腔预清洁系统, 实现不同工艺预清洁组合