随着IC制造向更小特征线宽尺寸和更薄外延层的发展，集成电路器件对于外延片的质量要求不断增加，先进逻辑和存储工艺的推进，开辟出更多外延工艺的应用场景，也对外延系统的功能和外延性能提出了更高的要求。

Epi RP 300 Compass HP

Epi RP 300 Compass HP是一款针对先进逻辑代工与存储，以及功率器件中的外延工艺应用需求的减压外延设备，具有先进的红外加热控制技术和加热模块设计，可实现温度的快速升降和温度场的精确控制，使系统具备优异的工艺重复性和设备稳定性，从而获得良好的厚度均匀性、电阻率均匀性，零滑移线和低缺陷密度的外延层生长。可满足工艺均匀性控制、低晶体缺陷、低掺杂和颗粒密度可控性强的要求。

Epi ATM 300 Compass HP

Epi ATM 300 Compass HP是一款针对外延片、MEMS和功率器件，如IGBT的生产制造，而设计的常压外延设备。该设备为我公司自主研发，拥有自主知识产权的设备，配备了先进的进气模块，拥有极致的沉积速率。

我们不仅提供高稳定性、高产出的工艺机台以及备品备件和售后服务，同时可提供相关的工艺解决方案。

E-Focus是天芯微独立研发的12英寸深硅刻蚀设备，具有自主知识产权，可实现高深宽比的硅通孔和沟槽刻蚀。搭配octave平台，最多可同时挂载6个独立的反应腔，产能更大，CoO更小。E-Focus深硅刻蚀设备广泛应用2.5D&3D封装、CMOS图像传感器（CIS）、深沟槽电容（DTC）、功率器件硅沟槽刻蚀、MEMS沟槽刻蚀等领域。设备搭配先进的工艺实时监测系统和快速等离子体切换系统，同时采用统一的EtherCAT通信方式，响应更快，沉积和刻蚀的切换周期更短。E-Focus应用了多种先进设计，如分区进气系统、对称腔体结构、高功率等离子源、快速气体切换系统、和准确离子能量控制等，为工艺提供了更多的可能性和可调性，可实现高度的刻蚀均匀性和优异的刻蚀形貌。

PRC+ Compass HP 是天芯微基于12 英寸先进工艺技术及量产规模下自主开发的预清洁设备, 可实现超高选择性刻蚀及表面预清洁能力, 最多可同时挂载6个独立的反应腔体, 同时可为前中后段进行开发满足工艺需求并做灵活搭配, 让产能最大化, CoO更低。PRC+ Compass HP自主设计开发的进气模块、腔体温控模式、腔体材质组成等, 为工艺提供较佳的刻蚀均匀性、优异的刻蚀形貌及稳定性, 减少 Particle 产生。PRC+ Compass HP 可应用于多元材料的高选择性刻蚀、高深宽比垂直刻蚀、图形刻蚀, 为工艺提供更多的可调性, 满足不同场景的应用。