8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡太湖国际博览中心举办。本届展会以“做强中国芯，拥抱芯世界”为使命，并以超7万平方米展览面积、八大展馆、1300余家展商和20余场同期论坛创下规模新高，AI赋能产业链、设备平台化与核心部件协同、供应链韧性成为贯穿全场的核心议题。

作为先导集团布局半导体产业的关键力量，江苏天芯微半导体设备有限公司（以下简称“天芯微”）再度受邀参加这一行业风向标盛会，在 A1-9B号展位集中展示覆盖12英寸先进工艺硅基外延与深硅刻蚀的四款核心装备，以前道关键工艺设备的自主创新成果，回应中国半导体产业从“关键突破”迈向“生态构建”的时代命题。

作为先导集团布局半导体产业的关键力量，天芯微依托集团在高端装备制造领域的深厚积淀，专注于为全球客户提供12 寸先进工艺硅基减压外延设备及常压外延设备、深硅刻蚀设备等半导体前道关键工艺设备，构建了全自主知识产权体系。本届展会上，公司四款具备高度市场竞争力的外延、刻蚀产品集中亮相，其中，天芯微的“明星产品”减压外延设备Epi RP 300 Compass NEX™ 倍受关注。

Epi RP 300 Compass NEX™是天芯微面向 12 英寸硅基外延市场自主研发的减压外延产品，创新的双平台可灵活配置 1 到 4 个外延腔，集成至多 2 个预清洗腔，满足差异化的产能需求和工艺要求。该设备可应用于 28 纳米及以下逻辑器件的 PMOS 和 NMOS 的源极 (Source)、漏极 (Drain) 和沟道（channel），以及功率器件和存储区间中深槽的填充，适用于多种外延生长材料，如硅、硅锗、硅磷等。

为期三天的展期里，天芯微展台持续保持高人气，业界专家、晶圆制造企业代表、科研院所团队及专业观众络绎而至。众多访客在设备方案前驻足研讨，围绕成熟制程扩产、先进封装深硅刻蚀、定制化工艺开发与产线验证展开深入探讨，并表达了明确的合作意向，进一步彰显了天芯微在半导体前道高端装备制造领域日益提升的品牌影响力与技术领先性。

一台设备的价值，最终由客户的良率与经营成效定义。未来，天芯微将持续以创新为引擎、以协同为路径，深耕前道核心技术突破，推动半导体前道高端外延、刻蚀设备性能与国产化水平再上新台阶，为“做强中国芯，拥抱芯世界”贡献更多天芯微力量。