3 月 25-27 日，全球规模最大、规格最高、最具影响力的半导体行业年度盛会 ——SEMICON China 2026 国际半导体展在上海新国际博览中心盛大召开。作为先导集团旗下专注半导体高端前道设备的核心企业，江苏天芯微半导体设备有限公司携全新一代外延与刻蚀全矩阵产品重磅亮相，以自主可控的核心技术、面向先进制程的创新方案，成为全球展商与专业观众关注的焦点，持续夯实中国半导体外延及刻蚀高端设备领先者的行业地位。

天芯微成立于2019年，专注于提供12寸先进工艺硅基减压外延设备及常压外延设备、深硅刻蚀设备等半导体前道关键工艺设备，为全球客户提供卓越技术解决方案。本次展会，天芯微携全新一代外延、刻蚀设备重磅亮相，全面覆盖逻辑、存储、功率、MEMS、先进封装等核心场景，为芯片制造国产化与技术迭代提供硬核支撑。

Epi RP 300 Compass NEX™是天芯微面向 12 英寸硅基外延市场自主研发的减压外延产品，创新的 双平台可灵活配置 1 到 4 个外延腔，集成至多 2 个预清洗腔，满足差异化的产能需求和工艺要求。

Epi RP 300 Compass NEX™可应用于 28 纳米及以下逻辑器件的 PMOS 和 NMOS 的源极 (Source)、漏极 (Drain) 和沟道（channel），以及功率器件和存储区间中深槽的填充，适用于多种外延生长材料，如硅、硅锗、硅磷等。

Compass HP 平台使其可以根据需求配置 1 到 4 个常压外延腔，凭借天芯微自研的压控 FRC 技术及独立多区进气模组，本设备能够沉积高达 150µm 厚度的薄膜，并具有 5µm/minute 的沉积速率。沉积的硅或硅锗薄膜具有极致的晶圆中心到边缘（center-to-edge）的厚度均一性。

刻蚀设备iPolaris-ICP™

iPolaris-ICP™ 是天芯微独立研发的12英寸深硅刻蚀设备，具有自主知识产权，可实现高深宽比的TSV硅通孔和DT沟槽刻蚀，最多可同时挂载6个独立的反应腔，产能更大，使用成本更低。iPolaris-ICP™ 深硅刻蚀设备广泛应用于 2.5D&3D 封装、CMOS 图像传感器（CIS）、MEMS 沟槽刻蚀等领域，可覆盖 TSV 刻蚀、深沟槽电容（DTC）、深沟槽隔离（DTI）及功率器件等工艺场景。

刻蚀设备iPolaris-CCP™

iPolaris-CCP™ 是天芯微自主创新研发的12英寸先进CCP介质刻蚀设备。本设备主要应用于3D-NAND和DRAM的孔洞与沟槽刻蚀，为存储芯片的技术迭代和演进提供有力支撑。 iPolaris-CCP™ 采用先进的超低温刻蚀技术、革命性下一代刻蚀工艺气体、卓越的高功率射频脉冲技术，可实现极高深宽比刻蚀。极高的刻蚀速率和刻蚀均匀性，助力客户在激烈的市场竞争中取得领先地位。

展会期间，天芯微展台人潮涌动，海内外客户、技术专家与产业伙伴驻足洽谈，围绕先进制程设备、工艺适配、量产交付与全周期服务深入交流。从设备性能到工艺验证，从产线落地到生态协同，天芯微以扎实的产品力、专业的服务力与持续的创新力，获得现场高度认可，进一步巩固了公司在半导体高端前道设备领域的品牌影响力与市场话语权。

未来，天芯微将坚持创新驱动，持续攻坚先进制程技术瓶颈，以更领先的设备、更完善的工艺、更全面的服务，向全球半导体高端前道设备制造高峰迈进，为中国半导体芯片制造提供更优质、更具竞争力的国产化解决方案。